SAMSUNG eUFS 3.0, Chip Memori Internal berkecepatan tinggi Untuk Smartphone - Digital Berita | Info Terupdate

Digital Berita | Info Terupdate

Info menarik seputar dunia internet

SAMSUNG eUFS 3.0, Chip Memori Internal berkecepatan tinggi Untuk Smartphone

Share This
SAMSUNG eUFS 3.0, Chip Memori Internal berkecepatan tinggi Untuk Smartphone



DigitalBerita - SAMSUNG pekan lalu tepatnya pada Bulan Januari lalu memperkenalkan teknologi Chip Memori Internal embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 versi I TB yang ditanamkan pada Smartphone terbarunya yakni SAMSUNG Galaxy S10.



Berselang 1 bulan, SAMSUNG meluncur chip memori internal eUFS 3.0 versi 512 GB yang diklaim memiliki kecepatan 2 kali lipat dari versi 2.1. eUFS 3.0 memiliki kecepatan squential read 2.100 MB berbanding 1.000 MB per detik.

Kecepatan eUFS 3.0 versi 512 GB milik SAMSUNG diklaim memiliki kecepatan 4 kali lipat lebih cepat dari SATA SSD dan 20 kali lipat dari memori microSD. 
Sementara kecepatan yang diperoleh eUFS 3.0 410MB per detik, lebih cepat 50 persen dari eUFS 2.1 yang memiiki kecepatan squential read 260 MB per detik.



dengan rating kecepatan membaca dan menulis demikian, maka Smartphone dengan chip eUFS 3.0 dapat menjalankan beberapa aplikasi berat secara bersamaan. 
Transfer Film beresolusi Full HD dengan ukuran 3,7 GB dari ponsel ke komputer diklaim SAMSUNG hanya memerlukan waktu 3 detik.

Tetapi untuk eUFS 3.0 versi 1 TB dikabarkan akan diproduksi pada akhir tahun 2019 mendatang.

No comments:

Post a Comment